目前，為解決硝酸在使用過(guò)程中的非敏化晶間腐蝕問(wèn)題，主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。

非敏化晶間腐蝕主要發(fā)生在含Cr6 +的HNO3中。除65% HNO3外，最可能出現(xiàn)在濃HNO3中，特別是發(fā)煙硝酸中。另外，在我國(guó)采用二氧化碳汽提法生產(chǎn)尿素的條件下，在高溫高壓氨基甲酸銨溶液中，在液相與氣液相交點(diǎn)處，發(fā)現(xiàn)了尿素級(jí)和非尿素級(jí)00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n和Fe Ni基耐腐蝕合金00cr20ni35mo2cu3nb (carpenter 20cd-3)的非敏化晶間腐蝕。在氣相中。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。